日前xxxx性，工信部印发的《首台(套)要紧工夫装备扩充应用指令目次(2024年版)》（以下简称“目次”）中骄矜，中国已攻克氟化氩光刻机，其中该目次中，公开可见的与光刻机代际水慈悲性能等密切有关的光源193纳米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm方针激发了业内的护理。

险些是与此同期，上海微电子败露了一项名为“极紫外辐照发生安设及光刻成就”的发明专利。两则音尘凑在一谈，某些媒体和所谓大V们据称撰文称，该成就不错用于分娩8纳米及以下工艺的芯片制造，以至EUV光刻机的推出亦然计日程功。于是乎又一波中国通过自主革命，打破紧闭的情怀启动推广。

事实究竟若何？

差距15-20年，ASML最初太多

针对我们开篇所说的情怀推广，也有不乏感性的媒体和业内东谈主士，从客不雅实在的角度分析了我们这个所谓的氟化氩光刻机可能具备的实在代际水慈悲性能（注：我们之是以使用“可能”，是因为目次中败露的信息终点不完好，举例关节的NA数值孔径、产能等），这里我们不再赘述，有风趣的读者不错自行搜索（要是有幸还能找到的话，不外我们热烈保举微信公众号“梓豪谈芯”中有关的原创著述）。

我们这里仅仅陋劣说下东谈主家得出的论断。这次国产套刻方针≤8nm的氟化氩光刻机，本色制程约为55nm，工夫水平仅终点于ASML于2015年二季度出货的TWINSCAN XT 1460K，以至部分关节方针不如ASML 2006年推出的干式DUV光刻机XT 1450，是以总体差距在15—20年。

对标有失偏颇，曝出尼康NSR-S636E狠变装

曾几何时，我们在光刻机边界，永远将ASML手脚主要的追逐对象，包括这次目次中激发争议的套刻方针≤8nm的氟化氩光刻机，业内也齐是将其与ASML访佛的机型手脚对比（看法是为了推断出我们这款光刻机的本色水平），举例我们之前说起的ASML于2015年二季度出货的TWINSCAN XT 1460K，也有的将其与ASML的TWINSCAN NXT 1980Fi对比，举例驰名的《南华早报》。

从客不雅的角度看，我们以为《南华早报》的这个对比有失偏颇，毕竟TWINSCAN NXT 1980Fi收受的是浸没式，而业内不错阐发的是，我们的套刻≤8nm氟化氩光刻机收受的依然是干式。

不要小看这笔墨上的互异，其实相较于传统的干法光刻，浸润式光刻诓骗液体浸润光刻胶层，粗略在光刻进程中更好地经管名义不屈整和陡立不屈的结构。这种工艺粗略提高分辨率和制程的一致性。

由此看，TWINSCAN NXT 1980Fi与我们的套刻≤8nm氟化氩光刻机在制造治安上（把柄光源分类）存在着质的互异，放在一谈比拟有失公允，毕竟从光刻机制造的演进旅途，浸润式光刻全面最初于干式光刻理所诚然。

不外话又说挂牵，本色接近TWINSCAN XT 1460K的水平（收受的是干式），但《南华早报》将套刻≤8nm氟化氩光刻机与TWINSCAN NXT 1980Fi放在一谈，也许是思让东谈主们误以为是归拢水平，仅仅个别方针的互异吧。

为了便于理解，此处我们陋劣先容下光刻机以光源诀别的光刻机制造的演进旅途。

把柄所用光源分类，光刻机履历了5代居品发展。

第一代为g线型，属于可见光源，最初为战斗接近式光刻机，使用光源为436nm的g-line，对应800-250nm工艺；

第二代为i线型，属于紫外光源（UV），最初为战斗接近式光刻机，使用光源为365nm的i-line，对应800-250nm工艺；

第三代为KrF型，属于深紫外光源（DUV），初代为扫描投影式光刻机，收受248n的KrF光源，对应180-130nm工艺；

第四代为ArF型，属于深紫外光源（DUV），收受193nm的ArF光源，分为步进扫描投影式光刻机（干式）和浸没式步进扫描投影式光刻机（湿式），分别对应130-65nm和45-7nm工艺（38nm以下启动使用多重曝光工艺）；

第五代为EUV型（极紫外），为步进扫描投影式光刻机，收受13.5nm的EUV光源，对应7-3nm工艺。

需要证明的是，为了进一步提高分辨率，将来的光刻工夫将收受高数值孔径（High-NA）EUV光刻机。这种工夫通过提高光学系统的数值孔径来终了更高的分辨率，从而得志更小工夫节点的需求。而在本年1月，ASML首台High-NA EUV光刻机的主要组件抵达英特尔，随后在3月初，英特尔共享了一段视频，展示了在英特尔位于好意思国俄勒冈州的D1X工场内，ASML工程团队安装调试的部分画面。

回到我们的套刻≤8nm氟化氩光刻机，如故《南华早报》的那张对比图，我们不测发现了尼康浸润式ArF光刻机NSR-S636E的身影。而真话实说，要不是《南华早报》的那张对比图，我们果真是不会思到尼康的，尽管在当下的光刻机市集，ASML、尼康和佳能是高市集的三甲（好像齐莫得第四）险些操纵了该市集的100%。事实是，在现在的浸没式光刻机市集，现在人人仅有ASML和尼康两家公司不错分娩。而NSR-S636E是旧年年底尼康发布的。

于无声处听惊雷，日本浸润式DUV光刻机赶超ASML

说起尼康的NSR-S636E，从发布的关节工夫方针看，这款曝光机由于收受增强型iAS估量打算，可用于高精度测量、圆翘曲和畸变改革，重迭精度(MMO)更高，不进步2.1纳米，分辨率小于38纳米，镜头孔径1.35，对比现时型号，它的举座分娩效果可提高10-15％，创下尼康光刻成就的新高，产能（wph）高达280片/小时以上（悉数尼康半导体光刻系统中分娩率最高），停机时候更短，价钱比竞品低廉20-30％摆布。

那么问题来了，尼康的NSR-S636E处在什么水平呢？

从《南华早报》图中其与TWINSCAN NXT 1980Fi的工夫方针对比，不错说二者昆玉难分。这里我们需要补充证明的是，ASML的1980Fi是其1980i系列中的一个最新式号，该系列还包含1980Di等多个型号。

值得一提的是，1980Fi和中枢工夫方针与更先进的2000i型号一致，但1980Fi的产能（wph）高达330片/小时以上，以至进步2000i的水平。那么以此来揣测的话，除了EUV，在浸润式DUV光刻机市集，尼康NSR-S636E仍是接近，以至是该市集最佳的光刻机（独特ASML）。

对此，有业内称，NSR-S636E不错径直光刻加工量产型5nm制程芯片，这个说法尽管有些夸张，但足见其在浸润式DUV光刻机市集的潜在实力。

更为珍爱的是，NSR-S636E是我们的企业和媒体一样挂在嘴边上的悉数国产。举例其光源使用的是日本gigaphoton公司（注：它是日本最大工程机械企业小松旗下的半导体企业，在光刻成就的DUV光源边界，Gigaphoton与ASML旗下的Cymer瓜分市集，即在光源这个光电子边界最上游的要领中，Gigaphoton和Cymer是仅存的两家有才调开荒次世代极紫外光刻机用LPP型激光等离子体光源的制造商）的准分子ArF光源、日本JTEM机构的超高名义精度反射式mirror、尼康我方的单工件台等。这点与ASML光刻机主要依赖人人化的入口零件变成了明显对比。

诚然，我们这里并非说NSR-S636E即是悉数零部件100%国产，至少在我们前述的中枢工夫和部件齐是国产，举例在进击的光源方面，ASML一直使用的是德国的蔡司，而NSR-S636E使用的则是日本gigaphoton公司的。

其实通过NSR-S636E，我们看到的不仅是尼康，而是在光刻机通盘产业链上，日本所具备的扼制小觑的真确的自主革命才调。

而除了工夫外，最让我们赏玩的还有尼康的低调。据日经新闻此前报谈，这是尼康时隔二十多年再次投放光刻机新品，且仍是达到，以至独特ASML在浸润式DUV光刻机市集的水平，但我们却鲜见日本国内有像近日我们的套刻≤8nm氟化氩光刻机被列入目次时，某些媒体及所谓大V们的上升情怀和近乎工夫盲般、无脑式的吹捧。

俗语说得好：低调作念东谈主，高调作念事。关于一个企业和产业尤其如斯，额外是在非市集身分关于我们极为不利，且越来越残酷确当下，独一低调才不错让我们取得自主革命和国产化的时候。

综上，我们以为，这次国产套刻8nm光刻机引争议背后，除了再次暴透露我们的差距外，也应让我们重新谛视在光刻机边界的敌手和学习的对象到底是谁？也许我们以前太过于护理ASML，而忽略了日本，尤其是它们在光刻机边界那种低调、求实、深耕国产化的革命和不懈的企业精神。

从这个敬爱上看，日本才是我们最试验的敌手，毕竟我们光刻机的水平还处在低端的干式阶段，下一步则是浸润式，而日本尼康则践行了国产化在浸润式独特ASML的可能xxxx性，其中个把的工夫、指示等无疑更值得我们模仿。